Presentazione

Dettaglio Docente

CARNERA ALBERTO

Professore ordinario

Dipartimento di Fisica e Astronomia "Galileo Galilei"

049-8277038

alberto.carnera@unipd.it

http://www.padova.infm.it/carnera

FIS/03

Curriculum Scientifico

Alberto Carnera si occupa di Fisica dello Stato Solido sperimentale svolgendo ricerche prevalentemente su materiali semiconduttori. I suoi studi hanno riguardato aspetti di base delle interazioni fra ioni energetici e materiali cristallini, ed alla loro applicazione allo studio di materiali quali il Niobato di Litio, i semiconduttori III-V ed il Si. Negli ultimi anni la sua attivit ha riguardato lo studio dei fenomeni di non-equilibrio legati alla interazione difetti-impurezze in Silicio. Per queste ricerche si usano i pi recenti sviluppi della Spettroscopia di Massa di Ioni Secondari, della Spettrometria di Rutherford Backscattering-Channeling e della Diffrazione di Raggi-X ad alta risoluzione. Alberto Carnera autore di oltre centoventi articoli scientifici su questi argomenti su riviste internazionali ed membro del consiglio esecutivo del Centro Ricerca e Sviluppo MATIS del CNR-INFM.

Pubblicazioni più Rilevanti

BISOGNIN G, DE SALVADOR D, NAPOLITANI E, CARNERA A., BRUNO E, MIRABELLA S, PIRO AM, ROMANO L, GRIMALDI MG. (2008). In situ thermal evolution of B-B pairs in crystalline Si: a spectroscopic high resolution x-ray diffraction study. JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER. vol. 20 AR. 175215 ISSN: 0953-8984, ISI:000254786600017. BISOGNIN G, DE SALVADOR D, NAPOLITANI E, BERTI M, CARNERA A., MIRABELLA S, ROMANO L, GRIMALDI MG, PRIOLO F. (2007). Substitutional B in Si: Accurate lattice parameter determination. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. vol. 101 AR. 093523 ISSN: 0021-8979, ISI:000246567900037. SCANDALE W, STILL DA, CARNERA A., DELLA MEA G, DE SALVADOR D, MILAN R, VOMIERO A, BARICORDI S, DALPIAZ P, FIORINI M, GUIDI V, MARTINELLI G, MAZZOLARI A, MILAN E, AMBROSI G, AZZARELLO P, BATTISTON R, BERTUCCI B, BURGER WJ, IONICA M, ZUCCON P, CAVOTO G, SANTACESARIA R, VALENTE P, VALLAZZA E, AFONIN AG, BARANOV VT, CHESNOKOV YA, KOTOV VI, MAISHEEV VA, YAZNIN IA, AFANSIEV SV, KOVALENKO AD, TARATIN AM, DENISOV AS, GAVRIKOV YA, IVANOV YM, IVOCHKIN VG, KOSYANENKO SV, PETRUNIN AA, SKOROBOGATOV VV, SUVOROV VM, BOLOGNINI D, FOGGETTA L, HASAN S, PREST M. (2007). High-efficiency volume reflection of an ultrarelativistic proton beam with a bent silicon crystal. PHYSICAL REVIEW LETTERS. vol. 98 AR. 154801 ISSN: 0031-9007, ISI:000245691400037. DE SALVADOR D, NAPOLITANI E, MIRABELLA S, BISOGNIN G, IMPELLIZZERI G, CARNERA A., PRIOLO F. (2006). Atomistic mechanism of boron diffusion in silicon. PHYSICAL REVIEW LETTERS. vol. 97 AR. 255902 ISSN: 0031-9007, ISI:000243414600039. NAPOLITANI E., DE SALVADOR D., STORTI R., CARNERA A., MIRABELLA S., PRIOLO F. (2004). Room Temperature Migration of Boron in Crystalline Silicon. PHYSICAL REVIEW LETTERS. vol. 93, pp. 055901-1-055901-4 ISSN: 0031-9007